Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии. Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллического строения и электрофизических свойств кремния на диэлектрических подложках. Книгу завершает материал о приборных разработках.
Книга предназначена для широкого круга специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов и материалов для микроэлектроники.
Название: Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
Автор: Папков В.С., Цыбульников М.Б.
Жанр: Учебное пособие
Издательство: Энергия
Год: 1979
Страниц: 90
Язык: Русский
Формат: pdf
Размер: 17,02 Mb
Download/Скачать : Папков В.С., Цыбульников М.Б. - Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
Для просмотра скрытого текста необходимо зарегистрироваться или войти на сайт.